casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1260T100Q
codice articolo del costruttore | 2SB1260T100Q |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1260T100Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1260T100Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1260T100Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1260T100Q-FT |
2SC5866TLQ
Rohm Semiconductor
2SC5868TLR
Rohm Semiconductor
2SA2094TLQ
Rohm Semiconductor
2SC5866TLR
Rohm Semiconductor
2SAR512RTL
Rohm Semiconductor
2SB1690TL
Rohm Semiconductor
2SB1705TL
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2SB1708TL
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2SC5868TLQ
Rohm Semiconductor
2SD2675TL
Rohm Semiconductor
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel