casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1201T-E
codice articolo del costruttore | 2SB1201T-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1201T-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1201T-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1201T-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1201T-E-FT |
MPSW55G
ON Semiconductor
MPSW55RLRA
ON Semiconductor
MPSW55RLRAG
ON Semiconductor
MPSW56RLRA
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MPSW56RLRAG
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MPSW56RLRPG
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MPSW63
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ON Semiconductor
AX1000-FGG484
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A3P250-1PQ208I
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LFE2M70E-5FN1152I
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EP3C40U484I7
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5SGXEA7H3F35I3L
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Xilinx Inc.
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