casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1201T-E
codice articolo del costruttore | 2SB1201T-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1201T-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1201T-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1201T-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1201T-E-FT |
MPSW55G
ON Semiconductor
MPSW55RLRA
ON Semiconductor
MPSW55RLRAG
ON Semiconductor
MPSW56RLRA
ON Semiconductor
MPSW56RLRAG
ON Semiconductor
MPSW56RLRPG
ON Semiconductor
MPSW63
ON Semiconductor
MPSW63G
ON Semiconductor
MPSW63RLRA
ON Semiconductor
MPSW63RLRAG
ON Semiconductor
EX64-PTQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
10M40DCF256A7G
Intel
EP3SL340F1517C3
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC33E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel