casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1201T-E
codice articolo del costruttore | 2SB1201T-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1201T-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1201T-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1201T-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1201T-E-FT |
MPSW55G
ON Semiconductor
MPSW55RLRA
ON Semiconductor
MPSW55RLRAG
ON Semiconductor
MPSW56RLRA
ON Semiconductor
MPSW56RLRAG
ON Semiconductor
MPSW56RLRPG
ON Semiconductor
MPSW63
ON Semiconductor
MPSW63G
ON Semiconductor
MPSW63RLRA
ON Semiconductor
MPSW63RLRAG
ON Semiconductor
EPF8820ATC144-2N
Intel
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672I8
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EP2S30F484I4
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5SGSMD5K3F40C3
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EP20K100EQC240-3
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EPF10K30RC208-3N
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