casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1197KT146R
codice articolo del costruttore | 2SB1197KT146R |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1197KT146R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1197KT146R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1197KT146R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1197KT146R-FT |
2SD1861TV2
Rohm Semiconductor
2SD1862TV2Q
Rohm Semiconductor
2SD1862TV2R
Rohm Semiconductor
2SD1863TV2Q
Rohm Semiconductor
2SD1863TV2R
Rohm Semiconductor
2SD1864TV2Q
Rohm Semiconductor
2SD1864TV2R
Rohm Semiconductor
2SD1866TV2
Rohm Semiconductor
2SD1867TV2
Rohm Semiconductor
2SD2097TV2Q
Rohm Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel