casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1188T100Q
codice articolo del costruttore | 2SB1188T100Q |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1188T100Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1188T100Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1188T100Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1188T100Q-FT |
QSX1TR
Rohm Semiconductor
QSX3TR
Rohm Semiconductor
QSX4TR
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QSX5TR
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QSL11TR
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2SC5866TLQ
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A3P030-QNG68
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LFE2-12SE-5QN208C
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5SGXMA7N3F40C3
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XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3QN208I
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