casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB11560P
codice articolo del costruttore | 2SB11560P |
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Numero di parte futuro | FT-2SB11560P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB11560P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 2A, 20A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 3W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TOP-3F |
Pacchetto dispositivo fornitore | TOP-3F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB11560P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB11560P-FT |
2SC57880QA
Panasonic Electronic Components
2SD2137APA
Panasonic Electronic Components
2SD21390PA
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2SD22420PA
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2SB14350RA
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2SD21340RA
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2SB14140RA
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XC6SLX9-3TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C7F27C8N
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
10AX115N3F40I2LG
Intel