casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1122T-TD-E
codice articolo del costruttore | 2SB1122T-TD-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1122T-TD-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1122T-TD-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1122T-TD-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1122T-TD-E-FT |
2SB1215S-E
ON Semiconductor
2SA1593T-E
ON Semiconductor
2SC4027T-H
ON Semiconductor
2SC4135T-E
ON Semiconductor
2SB1203S-E
ON Semiconductor
2SB1203S-H
ON Semiconductor
2SD1803S-H
ON Semiconductor
2SA2169-E
ON Semiconductor
2SD1803T-E
ON Semiconductor
2SB1202S-E
ON Semiconductor
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel