casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB09510P
codice articolo del costruttore | 2SB09510P |
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Numero di parte futuro | FT-2SB09510P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB09510P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 8mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 4A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 20MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB09510P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB09510P-FT |
2SA1242-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1244-Y(Q)
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2SA1552T-E
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2SB1203S-H-TL-E
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2SB1216S-TL-H
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AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
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Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8452AQC160-4
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