casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA2161G0L
codice articolo del costruttore | 2SA2161G0L |
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Numero di parte futuro | FT-2SA2161G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA2161G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
Potenza - Max | 125mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2161G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA2161G0L-FT |
2SA1834TLR
Rohm Semiconductor
2SB1182TLQ
Rohm Semiconductor
2SD2143TL
Rohm Semiconductor
2SA1952TLQ
Rohm Semiconductor
2SB1412TLQ
Rohm Semiconductor
2SB1412TLR
Rohm Semiconductor
2SC5001TLQ
Rohm Semiconductor
2SC5001TLR
Rohm Semiconductor
2SD1918TLQ
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2SA1727TLP
Rohm Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation