codice articolo del costruttore | 2SA1909 |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1909 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1909 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 80W |
Frequenza - Transizione | 20MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1909 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1909-FT |
MJD31C
STMicroelectronics
MJD31CT4
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MJD31CT4-A
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MJD32C
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MJD361T4-A
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MJD44H11T4-A
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MJD50T4
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STD127DT4
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STD13003T4
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STD1802T4-A
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XC6SLX9-3TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C7F27C8N
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
10AX115N3F40I2LG
Intel