casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1619ARA
codice articolo del costruttore | 2SA1619ARA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SA1619ARA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1619ARA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92NL-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1619ARA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1619ARA-FT |
ST1510FX
STMicroelectronics
HD1520FX
STMicroelectronics
HD1530FX
STMicroelectronics
HD1750FX
STMicroelectronics
MD1802FX
STMicroelectronics
ST1802FX
STMicroelectronics
ST2001FX
STMicroelectronics
ST2111FX
STMicroelectronics
ST2310FX
STMicroelectronics
2STA2121
STMicroelectronics
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel