casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1417S-TD-E
codice articolo del costruttore | 2SA1417S-TD-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1417S-TD-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1417S-TD-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1417S-TD-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1417S-TD-E-FT |
BCW66GLT1
ON Semiconductor
BCW70LT1
ON Semiconductor
BCW72LT1
ON Semiconductor
BCX17LT3G
ON Semiconductor
BCX18LT1G
ON Semiconductor
BCX19LT1
ON Semiconductor
BCX71JLT1
ON Semiconductor
BCX71JLT1G
ON Semiconductor
BSS64LT1
ON Semiconductor
BSV52LT1
ON Semiconductor
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel