casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1313-Y,LF
codice articolo del costruttore | 2SA1313-Y,LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1313-Y,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1313-Y,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1313-Y,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1313-Y,LF-FT |
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-O,PASF(M
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2SC1627A-Y,PASF(M
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2SC2229(TE6SAN1F,M
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2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
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2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6MIT1FM
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A1010B-1VQ80I
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EX128-PTQG100I
Microsemi Corporation
XC2V500-4FGG456C
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A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE75F23I8LN
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EPF10K30AFC256-3
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation