casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1309A0A
codice articolo del costruttore | 2SA1309A0A |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1309A0A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1309A0A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | NS-B1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1309A0A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1309A0A-FT |
DSC9001S0L
Panasonic Electronic Components
DSA900100L
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DSA9001R0L
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M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel