casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1163-GR,LF
codice articolo del costruttore | 2SA1163-GR,LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1163-GR,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1163-GR,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1163-GR,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1163-GR,LF-FT |
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50A-4TQ144I
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XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
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EP3SL70F484C4L
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XC5VLX330-1FFG1760C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG144
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A42MX16-PQG100A
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LFEC6E-4Q208I
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LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H3F34E2LG
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