casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1163-GR,LF
codice articolo del costruttore | 2SA1163-GR,LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1163-GR,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1163-GR,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1163-GR,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1163-GR,LF-FT |
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229(TE6SAN1F,M
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2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
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2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S2000-5FGG900C
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XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
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M2GL025-1FCSG325
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
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