casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1162-O,LF
codice articolo del costruttore | 2SA1162-O,LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1162-O,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1162-O,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162-O,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1162-O,LF-FT |
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(T6SHP1FM
Toshiba Semiconductor and Storage
EP2C8T144I8
Intel
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FG400I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
Intel