casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA08860Q
codice articolo del costruttore | 2SA08860Q |
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Numero di parte futuro | FT-2SA08860Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA08860Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 150mA, 1.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 1.2W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126B-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA08860Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA08860Q-FT |
2SC15180R
Panasonic Electronic Components
2SC15730Q
Panasonic Electronic Components
2SC15730R
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EX64-PTQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
10M40DCF256A7G
Intel
EP3SL340F1517C3
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC33E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel