casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2PD601ARW,115
codice articolo del costruttore | 2PD601ARW,115 |
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Numero di parte futuro | FT-2PD601ARW,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
2PD601ARW,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2PD601ARW,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2PD601ARW,115-FT |
BCX51-16,135
Nexperia USA Inc.
BCX52-16,135
Nexperia USA Inc.
BCX53,146
Nexperia USA Inc.
BCX53-10,135
Nexperia USA Inc.
BCX53-16,146
Nexperia USA Inc.
BCX54-16,135
Nexperia USA Inc.
BCX56,135
Nexperia USA Inc.
BCX56-10,135
Nexperia USA Inc.
BSR30,115
Nexperia USA Inc.
BSR31,115
Nexperia USA Inc.
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel