codice articolo del costruttore | 2N918 |
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Numero di parte futuro | FT-2N918 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N918 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 600MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 6dB @ 60kHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N918 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N918-FT |
MRF581G
Microsemi Corporation
MRF581AG
Microsemi Corporation
MRF581A
Microsemi Corporation
MRF553
Microsemi Corporation
MRF553G
Microsemi Corporation
MRF553GT
Microsemi Corporation
MRF553T
Microsemi Corporation
MRF581
Microsemi Corporation
MRF559G
Microsemi Corporation
MRF555T
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4008E-4PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68A
Microsemi Corporation
EP20K200FI484-2N
Intel
10AX032H4F34I3SG
Intel
XC5VFX30T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19A7N
Intel