codice articolo del costruttore | 2N918 |
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Numero di parte futuro | FT-2N918 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N918 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 600MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 6dB @ 60kHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N918 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N918-FT |
MRF581G
Microsemi Corporation
MRF581AG
Microsemi Corporation
MRF581A
Microsemi Corporation
MRF553
Microsemi Corporation
MRF553G
Microsemi Corporation
MRF553GT
Microsemi Corporation
MRF553T
Microsemi Corporation
MRF581
Microsemi Corporation
MRF559G
Microsemi Corporation
MRF555T
Microsemi Corporation
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
EP4SGX290NF45C2N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
10AX057K3F35I2LG
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel