casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2N7002,235
codice articolo del costruttore | 2N7002,235 |
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Numero di parte futuro | FT-2N7002,235 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
2N7002,235 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 830mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002,235 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N7002,235-FT |
IXFT80N30P3
IXYS
IXFT88N28P
IXYS
SI7450DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SSM3J144TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J145TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J371R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J372R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J374R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J377R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J378R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
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