codice articolo del costruttore | 2N6649 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6649 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N6649 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6649 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6649-FT |
2N5321
Microsemi Corporation
2N5336
Microsemi Corporation
2N5337
Microsemi Corporation
2N5339
Microsemi Corporation
2N5347
Microsemi Corporation
2N5348
Microsemi Corporation
2N5349
Microsemi Corporation
2N5384
Microsemi Corporation
2N5385
Microsemi Corporation
2N5415
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1517C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30CF780C5
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel