casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / 2N6508TG
codice articolo del costruttore | 2N6508TG |
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Numero di parte futuro | FT-2N6508TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6508TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 30mA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.8V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 16A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 25A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 40mA |
Corrente - Off Stato (max) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 250A @ 60Hz |
SCR Type | Standard Recovery |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6508TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6508TG-FT |
TYN208RG
STMicroelectronics
TYN612MRG
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TXN612RG
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TYN608RG
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TN1205H-6T
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EP1K30TC144-1N
Intel
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
AT6005-2AI
Microchip Technology
EP4CE10E22I7
Intel
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP2AGX260FF35C5N
Intel