codice articolo del costruttore | 2N5873 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5873 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N5873 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5873 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5873-FT |
2N2432A
Microsemi Corporation
2N2481
Microsemi Corporation
2N2605UB
Microsemi Corporation
2N2811
Microsemi Corporation
2N2813
Microsemi Corporation
2N2906A
ON Semiconductor
2N2906AL
Microsemi Corporation
2N2907A DL
MICROSS/On Semiconductor
2N2907A W/GOLD
Central Semiconductor Corp
2N2907AE4
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel