codice articolo del costruttore | 2N5657G |
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Numero di parte futuro | FT-2N5657G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5657G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 10V @ 100mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 100mA, 10V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | 10MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-225AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5657G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5657G-FT |
2SC43910RA
Panasonic Electronic Components
2SC54190RA
Panasonic Electronic Components
2SD1994ARA
Panasonic Electronic Components
2SD1994ASA
Panasonic Electronic Components
2SD20670RA
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2SD217700A
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2SD21770SA
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2SD2177A0A
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2SD21790RA
Panasonic Electronic Components
2SD21840RA
Panasonic Electronic Components
AT6010A-4AC
Microchip Technology
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX75CF23C6
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A42MX24-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX027E1F27E1HG
Intel