codice articolo del costruttore | 2N5550 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5550 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5550 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5550 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5550-FT |
ZTX657STZ
Diodes Incorporated
ZTX658
Diodes Incorporated
ZTX688BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX689BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX690BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX692BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX718STZ
Diodes Incorporated
ZTX751STZ
Diodes Incorporated
ZTX753STZ
Diodes Incorporated
ZTX757STZ
Diodes Incorporated
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel