casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / 2N5460G
codice articolo del costruttore | 2N5460G |
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Numero di parte futuro | FT-2N5460G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5460G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 750mV @ 1µA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Resistenza - RDS (On) | - |
Potenza - Max | 350mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 135°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5460G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5460G-FT |
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XC6SLX100-N3CSG484C
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XC2V1500-4FGG676I
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A54SX16-1VQG100I
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EPF6016ATC100-1
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EP2S15F484C3N
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XC4VFX40-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation