casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N5401TA
codice articolo del costruttore | 2N5401TA |
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Numero di parte futuro | FT-2N5401TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5401TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5401TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5401TA-FT |
2N4125TA
ON Semiconductor
2N4125TAR
ON Semiconductor
2N4125TF
ON Semiconductor
2N4125TFR
ON Semiconductor
2N4126TA
ON Semiconductor
2N4126TAR
ON Semiconductor
2N4126TF
ON Semiconductor
2N4126TFR
ON Semiconductor
2N4400TA
ON Semiconductor
2N4400TAR
ON Semiconductor
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel