casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N5401_J05Z
codice articolo del costruttore | 2N5401_J05Z |
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Numero di parte futuro | FT-2N5401_J05Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5401_J05Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5401_J05Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5401_J05Z-FT |
ZTX605STZ
Diodes Incorporated
ZTX653STZ
Diodes Incorporated
ZTX657STZ
Diodes Incorporated
ZTX658
Diodes Incorporated
ZTX688BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX689BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX690BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX692BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX718STZ
Diodes Incorporated
ZTX751STZ
Diodes Incorporated
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.