codice articolo del costruttore | 2N5307 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5307 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5307 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5307 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5307-FT |
ZTX455STZ
Diodes Incorporated
ZTX457STZ
Diodes Incorporated
ZTX550STZ
Diodes Incorporated
ZTX558STZ
Diodes Incorporated
ZTX560
Diodes Incorporated
ZTX560STZ
Diodes Incorporated
ZTX601STZ
Diodes Incorporated
ZTX603STZ
Diodes Incorporated
ZTX605STZ
Diodes Incorporated
ZTX653STZ
Diodes Incorporated
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFC672-2
Intel
5SGSED8K2F40I3N
Intel
5SGXMB5R1F43I2N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation