codice articolo del costruttore | 2N5210 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5210 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5210 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5210 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5210-FT |
ZUMT617TA
Diodes Incorporated
ZUMT617TC
Diodes Incorporated
ZUMT618TC
Diodes Incorporated
ZUMT717TC
Diodes Incorporated
ZUMT718TC
Diodes Incorporated
ZUMT720TC
Diodes Incorporated
ZXT14P12DXTA
Diodes Incorporated
ZXT14P40DXTA
Diodes Incorporated
APT13005SI-G1
Diodes Incorporated
APT13003DI-G1
Diodes Incorporated
LAXP2-5E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
Intel
5AGXMA3D4F31C4G
Intel