codice articolo del costruttore | 2N5193 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N5193 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5193 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 40W |
Frequenza - Transizione | 2MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5193 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5193-FT |
2N4449UB
Microsemi Corporation
2N5001
Microsemi Corporation
2C5012
Microsemi Corporation
2C5013
Microsemi Corporation
2C5014
Microsemi Corporation
2C5015
Microsemi Corporation
2N1613A
Microsemi Corporation
2N1700
Microsemi Corporation
2N1702
Microsemi Corporation
2N2221AL
Microsemi Corporation
XCKU5P-L1FFVA676I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
10M50DCF484I6G
Intel
5CEFA7M15C8N
Intel
XC6VLX240T-2FF1759I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation