codice articolo del costruttore | 2N5192R |
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Numero di parte futuro | FT-2N5192R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5192R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 40W |
Frequenza - Transizione | 2MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5192R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5192R-FT |
2N327A
Microsemi Corporation
2N4449UB
Microsemi Corporation
2N5001
Microsemi Corporation
2C5012
Microsemi Corporation
2C5013
Microsemi Corporation
2C5014
Microsemi Corporation
2C5015
Microsemi Corporation
2N1613A
Microsemi Corporation
2N1700
Microsemi Corporation
2N1702
Microsemi Corporation
XC6SLX9-3TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C7F27C8N
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
10AX115N3F40I2LG
Intel