codice articolo del costruttore | 2N5134 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5134 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5134 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 400nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-106-3 Domed |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-106 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5134 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5134-FT |
NSVMSB92T1G
ON Semiconductor
SMSD1002T1G
ON Semiconductor
SZT1010T1G
ON Semiconductor
500-00001
Parallax Inc.
2N327A
Microsemi Corporation
2N4449UB
Microsemi Corporation
2N5001
Microsemi Corporation
2C5012
Microsemi Corporation
2C5013
Microsemi Corporation
2C5014
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel