codice articolo del costruttore | 2N5109 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5109 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5109 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Frequenza - Transizione | 1.2GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 3dB @ 200MHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5109 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5109-FT |
NE85634-T1-A
CEL
NE856M02-T1-AZ
CEL
MRF904
Microsemi Corporation
MRF581G
Microsemi Corporation
MRF581AG
Microsemi Corporation
MRF581A
Microsemi Corporation
MRF553
Microsemi Corporation
MRF553G
Microsemi Corporation
MRF553GT
Microsemi Corporation
MRF553T
Microsemi Corporation
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQG208I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
10AX027E2F29E2LG
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FF1927I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
EP3SE80F780C4LN
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel