codice articolo del costruttore | 2N4261 |
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Numero di parte futuro | FT-2N4261 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N4261 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-72-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4261 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N4261-FT |
2N1717S
Microsemi Corporation
2N1724A
Microsemi Corporation
2N1893S
Microsemi Corporation
2N2102S
Microsemi Corporation
2N2218AL
Microsemi Corporation
2N2221AUA
Microsemi Corporation
2N2221AUB
Microsemi Corporation
2N2369AU
Microsemi Corporation
2N2432
Microsemi Corporation
2N2432AUB
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel