casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N3859A_D75Z
codice articolo del costruttore | 2N3859A_D75Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N3859A_D75Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3859A_D75Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 1V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3859A_D75Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3859A_D75Z-FT |
KSC1008YTA
ON Semiconductor
BC546BTF
ON Semiconductor
KSD5041QTA
ON Semiconductor
KSA733GTA
ON Semiconductor
KSD261CGTA
ON Semiconductor
BC547ATA
ON Semiconductor
SS8050CTA
ON Semiconductor
KSC945GTA
ON Semiconductor
BC549BTA
ON Semiconductor
KSA539CYTA
ON Semiconductor
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation