codice articolo del costruttore | 2N3737 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3737 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3737 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 1.5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3737 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3737-FT |
2N6650
Microsemi Corporation
2N6673
Microsemi Corporation
2N6674
Microsemi Corporation
2N6675
Microsemi Corporation
2N6676
Microsemi Corporation
2N6678
Microsemi Corporation
2N6678T1
Microsemi Corporation
2N696
Microsemi Corporation
2N696S
Microsemi Corporation
2N697
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel