codice articolo del costruttore | 2N3585 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3585 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3585 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 125mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 10V |
Potenza - Max | 35W |
Frequenza - Transizione | 10MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3585 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3585-FT |
FZT704TA
Diodes Incorporated
FZT717TC
Diodes Incorporated
FZT755TC
Diodes Incorporated
FZT757TC
Diodes Incorporated
FZT758TC
Diodes Incorporated
FZT788ATA
Diodes Incorporated
FZT788ATC
Diodes Incorporated
FZT788BTC
Diodes Incorporated
FZT789ATC
Diodes Incorporated
FZT792ATC
Diodes Incorporated
A54SX32-TQG144M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10M02SCU169I7G
Intel
5SGXEA5N3F45C2LN
Intel
XC4VLX100-10FFG1148C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SRC240-1N
Intel