casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N3507AU4
codice articolo del costruttore | 2N3507AU4 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3507AU4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
2N3507AU4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | U4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3507AU4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3507AU4-FT |
2N6353
Microsemi Corporation
2N6377
Microsemi Corporation
2N6383
Microsemi Corporation
2N6436
Microsemi Corporation
2N6438
Microsemi Corporation
2N6546
Microsemi Corporation
2N6547
Microsemi Corporation
2N656
Microsemi Corporation
2N657
Microsemi Corporation
2N6648
Microsemi Corporation
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel