casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N3417 APM
codice articolo del costruttore | 2N3417 APM |
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Numero di parte futuro | FT-2N3417 APM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3417 APM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 4.5V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3417 APM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3417 APM-FT |
2N5303
Central Semiconductor Corp
2N3716
Central Semiconductor Corp
2N6052
Central Semiconductor Corp
2N3773
Central Semiconductor Corp
2N6609
Central Semiconductor Corp
2N4398
Central Semiconductor Corp
2N4399
Central Semiconductor Corp
2N3715
Central Semiconductor Corp
CEN-U57
Central Semiconductor Corp
CEN-U05
Central Semiconductor Corp
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel