codice articolo del costruttore | 2N3108 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA,1V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3108-FT |
2N6281
Microsemi Corporation
2N6284
Microsemi Corporation
2N6286
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2N6287
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2N6296
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2N6297
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2N6298
Microsemi Corporation
2N6299
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2N6300
Microsemi Corporation
2N6301
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68A
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
EP4CE22E22C9LN
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5
Intel
EP20K400EBC652-3AA
Intel