codice articolo del costruttore | 2N2857 |
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Numero di parte futuro | FT-2N2857 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2857 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 1.9GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2857 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2857-FT |
MRF904
Microsemi Corporation
MRF581G
Microsemi Corporation
MRF581AG
Microsemi Corporation
MRF581A
Microsemi Corporation
MRF553
Microsemi Corporation
MRF553G
Microsemi Corporation
MRF553GT
Microsemi Corporation
MRF553T
Microsemi Corporation
MRF581
Microsemi Corporation
MRF559G
Microsemi Corporation
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K600EFC672-2N
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
5SGXEA7N3F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4
Intel
5SGXEA5N2F45C1N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation