casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 25LC512T-I/SM
codice articolo del costruttore | 25LC512T-I/SM |
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Numero di parte futuro | FT-25LC512T-I/SM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC512T-I/SM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC512T-I/SM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 25LC512T-I/SM-FT |
GD25LQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel