casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 25LC160DT-E/MNY
codice articolo del costruttore | 25LC160DT-E/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-25LC160DT-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC160DT-E/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC160DT-E/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 25LC160DT-E/MNY-FT |
24AA01HT-I/MNY
Microchip Technology
24AA04HT-I/MNY
Microchip Technology
24AA08HT-I/MNY
Microchip Technology
24AA32AFT-I/MNY
Microchip Technology
24LC01BHT-E/MNY
Microchip Technology
24LC01BHT-I/MNY
Microchip Technology
24LC02BHT-E/MNY
Microchip Technology
24LC04BHT-E/MNY
Microchip Technology
24LC04BHT-I/MNY
Microchip Technology
24LC04BT-E/MNY
Microchip Technology
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel