casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 25LC160D-E/MNY16KVAO
codice articolo del costruttore | 25LC160D-E/MNY16KVAO |
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Numero di parte futuro | FT-25LC160D-E/MNY16KVAO |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC160D-E/MNY16KVAO Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | 5MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC160D-E/MNY16KVAO Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 25LC160D-E/MNY16KVAO-FT |
24AA64SC-I/W16K
Microchip Technology
24AA64SC-I/WF16K
Microchip Technology
24AA64T-E/MNYVAO
Microchip Technology
24LC00/W
Microchip Technology
24LC00/WF
Microchip Technology
24LC01B/W
Microchip Technology
24LC01B/W15K
Microchip Technology
24LC01B/WF
Microchip Technology
24LC024T-I/MNY16KVAO
Microchip Technology
24LC02B-I/S15K
Microchip Technology
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation