casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 25LC080B-I/P
codice articolo del costruttore | 25LC080B-I/P |
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Numero di parte futuro | FT-25LC080B-I/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC080B-I/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC080B-I/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 25LC080B-I/P-FT |
W25Q80JVSNIQ
Winbond Electronics
W25Q80JVSNIQ TR
Winbond Electronics
W25X10AVSNIG
Winbond Electronics
W25X10BVSNIG
Winbond Electronics
W25X10VSNIG
Winbond Electronics
W25X10VSNIG T&R
Winbond Electronics
W25X16AVSNIG
Winbond Electronics
W25X20AVSNIG
Winbond Electronics
W25X20BVSNIG
Winbond Electronics
W25X20VSNIG
Winbond Electronics
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation