casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 25AA640/W
codice articolo del costruttore | 25AA640/W |
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Numero di parte futuro | FT-25AA640/W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25AA640/W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25AA640/W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 25AA640/W-FT |
24AA16T-I/CS16K
Microchip Technology
24AA16T-I/MC16KVAO
Microchip Technology
24AA256-I/S16K
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24AA256-I/W16K
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24AA256-I/WF16K
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24AA256SC-I/S16K
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24AA256SC-I/W16K
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24AA256SC-I/WF16K
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24AA32A-I/S16K
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24AA32A-I/W16K
Microchip Technology
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
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10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel