casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 25AA080DT-I/MNY
codice articolo del costruttore | 25AA080DT-I/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-25AA080DT-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25AA080DT-I/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25AA080DT-I/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 25AA080DT-I/MNY-FT |
24AA014T-I/MNY
Microchip Technology
34AA02T-I/MNY
Microchip Technology
34LC02T-I/MNY
Microchip Technology
34VL02T/MNY
Microchip Technology
LE25U20AQGW00TXG
ON Semiconductor
24LC64FT-E/MNY
Microchip Technology
24AA256T-E/MNY
Microchip Technology
24AA256T-I/MNY
Microchip Technology
24FC256T-I/MNY
Microchip Technology
24LC256T-I/MNY
Microchip Technology
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel