casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 24LCS52T-I/MNY
codice articolo del costruttore | 24LCS52T-I/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-24LCS52T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
24LCS52T-I/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 400kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 900ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.2V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24LCS52T-I/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 24LCS52T-I/MNY-FT |
W25Q64JVZEIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64JVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80DLZPIG
Winbond Electronics
W25Q80DVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWZPIG TR
Winbond Electronics
W25X20CLZPIG
Winbond Electronics
W25X20CLZPIG TR
Winbond Electronics
W25X40CLZPIG TR
Winbond Electronics
24AA014T-I/MNY
Microchip Technology
34AA02T-I/MNY
Microchip Technology
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel