casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 243NQ100-1
codice articolo del costruttore | 243NQ100-1 |
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Numero di parte futuro | FT-243NQ100-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
243NQ100-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 240A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 5500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
243NQ100-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 243NQ100-1-FT |
BYW100-200
STMicroelectronics
BYW100-200RL
STMicroelectronics
STPS2150RL
STMicroelectronics
STTH152
STMicroelectronics
STTH152RL
STMicroelectronics
STTH208RL
STMicroelectronics
STTH2R02Q
STMicroelectronics
STTH2R02QRL
STMicroelectronics
STTH3R02Q
STMicroelectronics
STTH3R04Q
STMicroelectronics
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel