casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 23LCV512-I/P
codice articolo del costruttore | 23LCV512-I/P |
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Numero di parte futuro | FT-23LCV512-I/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23LCV512-I/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23LCV512-I/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23LCV512-I/P-FT |
24FC04H-I/P
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25LC080D-I/P
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93LC76C-I/P
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47L04-I/P
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93LC56A/P
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24AA02-I/P
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XC2VP70-6FF1517C
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XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
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10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel